Damage profiling on high energy ion implanted GaP / C. Ascheron, G. Otto, R. Flagmeyer et al.
Язык: английский ; резюме, русский.Выходные данные: Дубна : Объед. ин-т ядер. исслед., 1956Физическая характеристика: 4 с. : граф. ; 22 см см.Серия: Объединенный институт ядерных исследований, Дубна ; Е14-86-448Примечания: На 3-й с. обл.: Профиль повреждения GaP после имплантации высокоэнергетичными ионами / Ашерон К. и др.; Рез. на рус. яз..Библиография: Библиогр.: с. 4.Другие взаимосвязанные произведения (ресурсы): Physica status solidiПредметная рубрика - Тема: Фосфид галлия -- Легирование Другие классификации: ( rubbk ) З384.324.208-198 Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Иностранный книжный фонд | Т95 Д-6/20 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 9235942-10 |
На 3-й с. обл.: Профиль повреждения GaP после имплантации высокоэнергетичными ионами / Ашерон К. и др.
Рез. на рус. яз.
"Submitted to "Physica status solidi""
Библиогр.: с. 4