000 01759nam0a2200313 i 4500
001 RU\NLR\BIBL_A\011268020
005 20240921173612.0
010 _a9785934932719
_9300
021 _aRU
_b2016-82910
_95419
035 _a(NLR Aleph) 011268020
090 _a10806012
_c10806012
100 _a20161111d2016 k y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa z 000yy
200 1 _aФрактальные закономерности и модельные представления процессов переключения поляризации сегнетоэлектриков при диагностике методами растровой электронной микроскопии
_eмонография
_fТ.К. Барабаш, А.Г. Масловская
_gМ-во образования и науки Рос. Федерации, Амурский гос. ун-т
210 _aБлаговещенск
_cИзд-во АмГУ
_d2016
215 _a146, [1] с.
_cил.
_d21
300 _aВ вып. дан. авт.: Т.К. Барабаш, к.ф.-м.н., А.Г. Масловская, проф., д.ф.-м.н., доц.
320 _aБиблиогр.: с. 131-145 (182 назв.)
606 1 _aСегнетоэлектрики
_xКристаллы
_xПереполяризация
_91582909
_3RU\NLR\AUTH\66993960
606 1 _aСегнетоэлектрики
_xРастровая электронная микроскопия
_92121729
_3RU\NLR\AUTH\661584821
686 1 _aВ379.331.7
700 1 _aБарабаш
_bТ. К.
_gТатьяна Константиновна
701 1 _aМасловская
_bА. Г.
_gАнна Геннадьевна
942 _cBOOK
980 _aNBR