| 000 | 01401nam0a2200337 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\BIBL_A\011660737 | ||
| 005 | 20180523102033.0 | ||
| 010 |
_a978-5-98901-188-9 _9350 |
||
| 021 |
_aRU _bКН-П-18-010122 _9КН-П-18-0706 |
||
| 035 | _a(NLR Aleph) 011660737 | ||
| 035 | _a(RuMoRGB)009541601 | ||
| 090 |
_a11179708 _c11179708 |
||
| 100 | _a20180319d2016 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _aeng | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa z 000zy | ||
| 200 | 1 |
_aAtomically controlled silicon surface _e[monography] _fA. V. Latyshev, L. I. Fedina, D. I. Rogilo [et al.] _gRzhanov institute of semiconductor physics, Siberian branch of Russian academy of sciences |
|
| 210 |
_aNovosibirsk _cParallel _d2016 |
||
| 215 |
_a220 с. _cил. _d25 |
||
| 320 | _aБиблиогр. в конце гл. | ||
| 606 | 1 |
_aКремний _xПоверхностные явления _2nlr_sh1 _2nlr_sh2 _3RU\NLR\AUTH\66588146 |
|
| 686 |
_aВ379.225с1,0 _2rubbk |
||
| 686 | 1 | _aЗ843.322.406.3-1 | |
| 701 | 1 |
_aLatyšev _bA. V. _cд-р физ.-мат. наук, физика _gAleksandr Vasil'evič _3RU\NLR\AUTH\770188995 |
|
| 701 | 1 |
_aFedina _bL.I. _gLjudmila Ivanovna |
|
| 701 | 1 |
_aRogilo _bD.I. _gDmitrij Igorevič |
|
| 830 | _aАтомарно контролируемая поверхность кремния | ||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||