| 000 | 02510nam0a2200421 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\BIBL_A\011347822 | ||
| 005 | 20260406083057.0 | ||
| 010 |
_a978-5-94621-556-5 _9250 |
||
| 021 |
_aRU _b2017-10185 _9752 |
||
| 035 | _a(RuMoRGB)008797101 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 011347822 | ||
| 090 |
_a11228101 _c11228101 |
||
| 100 | _a20170317d2016 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 |
_arus _aeng |
|
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa zzzz0|00yzy | ||
| 200 | 1 |
_aПолупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами _dSemiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers _e[монография] _fС.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев _gпод редакцией О.П. Толбанова, профессора, доктора физико-математических наук _gМинистерство образования и науки Российской Федерации, Национальный исследовательский Томский государственный университет |
|
| 210 |
_aТомск _cИздательский Дом Томского государственного университета _d2016 |
||
| 215 |
_a256 с. _cил., табл. _d24 |
||
| 300 | _aАвт. также на англ. яз.: S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, M.D. Vilisova, I.A. Prudaev | ||
| 300 | _aЧасть текста на англ. яз. | ||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 228-253 | ||
| 510 | 1 |
_aSemiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers _zeng |
|
| 606 |
_aАрсениды галлия легированные _xФизические свойства _92167765 _3RU\NLR\AUTH\6601540921 |
||
| 610 | 0 | _aспинтроника - материалы | |
| 610 | 0 | _as-диоды | |
| 610 | 0 | _aфотоприемники | |
| 686 |
_aЗ843.324.406.33,0 _2rubbk |
||
| 686 | 1 | _aЗ843.324.406.3 | |
| 701 | 1 |
_7ca _8rus _aХлудков _bС. С. _f1935- _gСтанислав Степанович _3RU\NLR\AUTH\770277811 _92649778 |
|
| 701 | 1 |
_aТолбанов _bО. П. _gОлег Петрович |
|
| 701 | 1 |
_aВилисова _bМ. Д. _gМария Дмитриевна |
|
| 701 | 1 |
_aПрудаев _bИ. А. _gИлья Анатольевич |
|
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNBR | ||
| 980 | _aNB | ||