| 000 | 02177nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\BIBL_A\011349779 | ||
| 005 | 20240921232409.0 | ||
| 010 |
_a9785317054502 _9500 |
||
| 021 |
_aRU _b2017-11763 _9866 |
||
| 035 | _a(RuMoRGB)008801228 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 011349779 | ||
| 090 |
_a11238743 _c11238743 |
||
| 100 | _a20170320d2016 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 |
_arus _deng |
|
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa zzzz0|00yzy | ||
| 200 | 1 |
_aВычислительные алгоритмы в задачах моделирования и оптимизации полупроводниковых гетероструктур _eмонография _fК. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников _gВычислительный центр Федерального исследовательского центра "Информатика и управления" Российской академии наук |
|
| 210 |
_aМосква _cМАКС-пресс _d2016 |
||
| 215 |
_a118, [1] с. _cил. _d21 |
||
| 300 | _aВ вып. дан. авт.: К.К. Абгарян - к.ф.-м.н., Д.Д. Ревизников - д.ф.-м.н., проф. | ||
| 300 | _aРез. на англ. яз. | ||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 115-117 (42 назв.) | ||
| 606 |
_aНитриды галлия _xПолупроводниковые свойства _92292705 _3RU\NLR\AUTH\661373005 |
||
| 606 |
_aПолупроводники легированные _xНосители заряда _xПодвижность _92348067 _3RU\NLR\AUTH\6601626147 |
||
| 606 |
_aПолупроводники многослойные _xНаноструктуры _xКвантово-механические расчеты _92348094 _3RU\NLR\AUTH\6601626159 |
||
| 610 | 0 | _aполупроводниковые гетероструктуры | |
| 686 |
_aЗ843.306-1с11,0 _2rubbk |
||
| 686 |
_aВ379.271.5с21,0 _2rubbk |
||
| 686 | 1 | _aЗ843.324.063 | |
| 700 | 1 |
_aАбгарян _bК. К. _gКаринэ Карленовна |
|
| 701 | 1 |
_aРевизников _bД. Л. _gДмитрий Леонидович |
|
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNBR | ||