000 01429nam0a2200349 4500
001 RU\NLR\bibl\1394405
005 20250615202118.0
010 _a978-5-9221-1069-3
_9300
021 _aRU
_b2009-41472
_92520
035 _a(NLR Aleph) 001386432
090 _a1134508
_c1134508
100 _a20090722d2009 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aТеория формирования эпитаксиальных наноструктур
_fВ.Г. Дубровский
210 _aМосква
_cФизматлит
_d2009
215 _a350 с.
_cил.
_d22
225 1 _aФундаментальная и прикладная физика
300 _aНа 4-й с. обл. авт.: В.Г. Дубровский - д.ф.-м.н., проф.
320 _aБиблиогр.: с. 338-350 (350 назв.)
606 1 _aПолупроводниковые соединения
_xЭпитаксиальные слои
_92565064
_3RU\NLR\auth\661517116
606 1 _aПолупроводниковые наноструктуры
_xПроизводство
_92460405
_3RU\NLR\auth\661462028
686 _aЗ844.1-06
686 _aЗ843.310.8-1
700 1 _aДубровский
_bВ. Г.
_gВладимир Германович
_4070
801 0 _aRU
_bNLR
_c20090722
_gRCR
801 1 _aRU
_bNLR
_c20090722
830 _aпо кн.
942 _cBOOK
980 _aNB