000 02410nam0a2200397 4500
001 RU\NLR\BIBL_A\012311624
005 20200819150801.0
010 _a978-5-292-04600-4
_9100
021 _aRU
_bКН-П-20-018808
_9КН-П-20-1480
035 _a(NLR Aleph) 012311624
035 _a(RuMoRGB)010315743
090 _a11373408
_c11373408
100 _a20200810d2019 u y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _a z |000z
181 0 _ai
_baxxe
182 0 _an
200 1 _aПроектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах
_eучебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
_fВ. С. Тяжлов, В. Н. Посадский
_gСаратовский национальный исследовательский государственный университета им. Н. Г. Чернышевского
203 _aТекст
_bвизуальный
_cнепосредственный
210 _aСаратов
_cИзд-во Саратовского университета
_d2019
215 _a33, [2] с.
_cил.
_d21
300 _aИмеется электронный аналог
313 _aПроектирование усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента.
320 _aБиблиогр.: с. 34
606 1 _aПолупроводниковые усилители СВЧ
_jУчебно-методические пособия для высших учебных заведений
_xПроектирование
_92447783
_3RU\NLR\AUTH\6601673317
606 1 _aШоттки полевые транзисторы
_jУчебно-методические пособия для высших учебных заведений
_92447903
_3RU\NLR\AUTH\6601673371
686 1 _aЗ846.88-02я73-1
686 1 _aЗ852.39я73-1
700 1 _aТяжлов
_bВ. С.
_gВиталий Семенович
701 1 _aПосадский
_bВ. Н.
_gВиктор Николаевич
942 _cBOOK
980 _aNBR
980 _aNB