000			03109nam0a2200481 4500
001			RU\NLR\BIBL_A\012385067
005			20210906171234.0
010			_a978-5-7629-1936-4 _9500
021			_aRU _bКН-П-20-036996 _9КН-П-20-2803
035			_a(NLR Aleph) 012385067
035			_a(RuMoRGB)010366090
090			_a11647004 _c11647004
100			_a20201021d2016 k y0rusy50 ca
101	0		_arus
102			_aRU
105			_aa|||z|||000zy
181		0	_ai _baxxe
182		0	_an
200	1		_aГетерофазные оксидные системы в оптоэлектронике _e[монография _fВ.П. Афанасьев, А.В. Афанасьев, А.В. Ильинский и др.] _gпод редакцией В.П. Афанасьева _gМинобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
203			_aТекст _bвизуальный _cнепосредственный
210			_aСанкт-Петербург _cИзд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ" _d2016
215			_a194 с. _cил., табл. _d21
300			_aАвт. указаны на обороте тит. л.
313			_aРассмотрены фотоэлектрические свойства тонких пленок оксида ванадия, оксида свинца, оксидных полупроводников.
320			_aБиблиогр. в конце гл.
606	1		_aОксиды ванадия _xТонкие пленки _91897250 _3RU\NLR\AUTH\66863367
606	1		_aОксиды свинца _xФотопроводимость _92017604 _3RU\NLR\AUTH\66928215
606	1		_aПолупроводники оксидные _xТонкие пленки _92085339 _3RU\NLR\AUTH\661261454
606	1		_aЭлектроника пленочная _9934840 _3RU\NLR\AUTH\66344808
606	1		_aОптоэлектронные приборы _xМатериалы _92160021 _3RU\NLR\AUTH\661300010
686	1		_aЗ854.3-03
686	1		_aЗ844.13-03
701		1	_7ca _8rus _aАфанасьев _bВ. П. _cд-р техн. наук _gВалентин Петрович _926284 _3RU\NLR\AUTH\7743341
701		1	_7ca _8rus _aАфанасьев _bА. В. _cканд. техн. наук _gАлексей Валентинович _9222436 _3RU\NLR\AUTH\770222492
701		1	_7ca _8rus _aИльинский _bА. В. _cд-р физ.-мат. наук _gАлександр Валентинович _9222442 _3RU\NLR\AUTH\770222498
712	0	2	_4475 _aСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В. И. Ульянова (Ленина) _9687544 _3RU\NLR\AUTH\880513481
942			_cBOOK
980			_aNBR
980			_aNB