000 01739nam0a2200373 4500
001 RU\NLR\bibl\524014
005 20250609145607.0
021 _aRU
_b2004-23275
_91175
035 _a(NLR Aleph) 000516398
090 _a1265512
_c1265512
100 _a20040527d2003 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aЭффекты перенормировки экситонного и биэкситонного спектров в когерентно-возбуждаемых полупроводниках
_fХоанг Нгок Кам, В.С. Горелик
210 _aМ.
_cБ.и.
_d2003
215 _a29, [4] с.
_cил.
_d21
225 1 _aПрепринт
_fРос. акад. наук, Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева
_v35
300 _aРез. на англ. яз.
320 _aБиблиогр.: с. 26-29 (48 назв.)
606 0 _aЛазеры
_xИзлучение
_xВзаимодействие с веществом
_91007656
_3RU\NLR\auth\66383164
606 0 _aЛазерное излучение
_xВзаимодействие с веществом
_92217325
_3RU\NLR\auth\661331644
606 0 _aПолупроводники прямозонные
_xПоляризационные явления
_92333632
_3RU\NLR\auth\661395339
606 0 _aПрямозонные полупроводники
_xПоляризационные явления
_92333631
_3RU\NLR\auth\661395338
686 _aЗ86-013
686 _aВ379.244
700 0 _aХоанг Нгок Кам
_4070
701 1 _aГорелик
_bВ. С.
_4070
801 0 _aRU
_bNLR
_c20040527
_gPSBO
801 1 _aRU
_bNLR
_c20040527
942 _cBOOK
980 _aNB