| 000 | 05845nam0a2200637 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\BIBL_A\012764260 | ||
| 005 | 20220721160152.0 | ||
| 010 |
_a978-5-6046722-4-2 _9500 |
||
| 021 |
_aRU _bКН-П-21-093227 _9КН-П-21-7437 |
||
| 035 | _a(NLR Aleph) 012764260 | ||
| 035 | _a(RuMoRGB)010940296 | ||
| 090 |
_a13072214 _c13072214 |
||
| 100 | _a20220418d2021 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa|||z|||010zy | ||
| 181 | 0 |
_ai3 _baxxe |
|
| 182 | 0 | _an | |
| 200 | 1 |
_aМодели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) _dModels and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) _eмонография _eк 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год _fВ. И. Алтухов, А. В. Санкин _gМинистерство образования и науки Российской Федерации, Северо-Кавказский федеральный университет _zeng |
|
| 203 |
_aТекст _bвизуальный _cнепосредственный |
||
| 210 |
_aМосква _aПятигорск _cСКФУ _d2021 |
||
| 215 |
_a659 с. _cил., цв. ил. _d24 |
||
| 300 | _aАвт. также англ.: V.I. Altukhov, A.V. Sankin | ||
| 300 | _aНа 4-й с. обл. авт.: Алтухов В.И. - д-р физ.-мат. наук, проф., действ. чл. РАЕН, акад. РАЕ, Санкин А.В. - действ. чл. РАЕН | ||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 526-578 | ||
| 320 | _aОсн. тр. авт.: с. 579-582 | ||
| 330 | _aС единых позиций на основе квантовых формул Кубо-Гринвуда развиты модели и рассчитано поведение особенностей тепловых, электрических свойств кристаллов карбида кремния (SiC), его твердых растворов (SiC-AIN), реальных кристаллов, диэлектриков (подложки), сегнетоэлектриков, а также поведение - характеристики гетероструктур, диодов и светодиодов силовой электроники. В приложениях приведены значения использованных универсальных физических постоянных; показана структура монокристаллов SiC и его политипов; как пример приведен ряд программ расчета различных свойств, характеристик, рассмотренных в работе материалов, диодов и светодиодов. В работе выявлены новые квантовые эффекты теплового, электрического сопротивления, рассмотренных в работе материалов-систем. Описана запатентованная установка для выращивания совершенных монокристаллов SiC и SiC-AIN. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки. Рассчитаны ВАХ диодов и положения полос спектра светодиодов на основе твердых растворов карбида кремния | ||
| 510 | 1 |
_6z11790 _aModels and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) _zeng |
|
| 606 | 1 |
_aСиловая электроника _xФизические основы _2nlr_sh2 _3RU\NLR\AUTH\6601705721 |
|
| 606 | 1 |
_aКарборунд _xНаноструктуры _2nlr_sh2 _3RU\NLR\AUTH\6601688086 |
|
| 606 | 1 |
_aКарборунд _xМонокристаллы _xПроизводство _2nlr_sh1 _2nlr_sh2 _3RU\NLR\AUTH\66526483 |
|
| 606 | 1 |
_aНаноэлектроника _xФизические основы _2nlr_sh2 _3RU\NLR\AUTH\661501456 |
|
| 606 | 1 |
_aСегнетоэлектрики _xКристаллы _2nlr_sh1 _2nlr_sh2 _3RU\NLR\AUTH\66491443 |
|
| 610 | 0 | _aширокозонные материалы | |
| 610 | 0 | _aкарбид кремния - получение монокристалла | |
| 610 | 0 | _aдиоды с барьером Шоттки | |
| 610 | 0 | _aнаноматериалы экстремальной электроники | |
| 610 | 0 | _aквантовый транспорт | |
| 610 | 0 | _aандерсоновская локализация | |
| 610 | 0 | _aфононный свойства наноматериалов | |
| 610 | 0 | _aсегнетоэлектрики-полупроводники | |
| 610 | 0 | _aдефекты кристаллов | |
| 610 | 0 | _aкристаллы с парамагнитными центрами | |
| 610 | 0 | _aсегнетоэлектрические кристаллы | |
| 675 |
_a537.226 _v4 |
||
| 686 | 1 | _aЗ264.5 | |
| 686 | 1 | _aЗ843.323 | |
| 686 | 1 | _aЗ844.1-01 | |
| 700 | 1 |
_aАлтухов _bВ. И. _f1943- _gВиктор Иванович _3RU\NLR\AUTH\770242397 |
|
| 701 | 1 |
_aСанкин _bА. В. _f1956- _gАлександр Викторович |
|
| 790 | 1 |
_6z11 _aAltuchov _bV. I. _f1943- _gViktor Ivanovič _3RU\NLR\AUTH\770242398 |
|
| 790 | 1 |
_6z11 _6z11510 _aSankin _bA.V. _f1956- _gAleksandr Viktorovič |
|
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||