000 01829nam0a2200349 4500
001 RU\NLR\bibl\1743732
005 20250616113641.0
021 _aRU
_b2011-8130
_9577
035 _a(nilc)RSL-KNO-004890325
035 _a(NLR Aleph) 001734635
090 _a1421249
_c1421249
100 _a20110214d2010 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aОсновные особенности и параметры зонной структуры полупроводников
_eучебное пособие
_fГвелесиани А.А., Шелонин Е.А.
_gМ-во образования и науки Рос. Федерации, Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова, Каф. физики и химии твердого тела
210 _aМосква
_cМосковская государственная академия тонкой химической технологии
_d2010
215 _a71 с.
_cил.
_d21
320 _aБиблиогр.: с. 70 (10 назв.)
606 1 _aПолупроводники
_jУчебные издания для высших учебных заведений
_xЗонная структура
_91941569
_3RU\NLR\auth\66887372
610 0 _aзонная структура полупроводников
686 _aВ379.13я73-1
_2rubbk
686 _aВ379.2я73-1
700 1 _aГвелесиани
_bА. А.
_gАлександр Александрович
_4070
701 1 _aШелонин
_bЕ. А.
_gЕвгений Александрович
_4070
801 0 _aRU
_bRuMoRKP
_c20110214
_grcr
801 1 _aRU
_bRuMoRGB
_c20110214
801 2 _aRU
_bNLR
_c20110304
_grcr
830 _aАвт. по кн.
942 _cBOOK
980 _aNB