| 000 | 01407nam0a2200301 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\bibl\279266 | ||
| 005 | 20240726000211.0 | ||
| 020 |
_aRU _b00-5397 _9Летопись авторефератов диссертаций |
||
| 021 |
_aRU _b99-2818a _999-113А |
||
| 090 |
_a1607093 _c1607093 |
||
| 100 | _a20011123d1999 u u0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa dm 000yy | ||
| 200 | 1 |
_aИзовалентное легирование _eУпр. электрон. свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на ситему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров _eАвтореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. _eСпец. 01.04.10 _fРос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе |
|
| 210 |
_aСПб. _d1999 |
||
| 215 |
_a51 с. _cграф. _d20 |
||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 46-51 | ||
| 610 | 0 | _aФизико-математические науки - Физика. Астрономия | |
| 686 |
_a01.04.10 _2oksvnk |
||
| 700 | 1 |
_aЧалдышев _bВ. В. _gВладимир Викторович |
|
| 852 |
_aNLR _jА99/2818 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 983 | 0 | _aРГ ЧОВ | |