000 02106nam0a2200409 4500
001 RU\NLR\bibl\1209679
005 20260409072034.0
010 _a978-5-7692-0963-5
_9300
021 _aRU
_b2008-8409
_9460
035 _a(NLR Aleph) 001196111
090 _a1747902
_c1747902
100 _a20080403d2007 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aНанотехнологии в полупроводниковой электронике
_f[Н.Н. Михайлов, Р.Н. Смирнов, С.А. Дворецкий и др.]
_gотв. ред. акад. А.Л. Асеев
_gРос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
205 _a2-е изд., стер.
210 _aНовосибирск
_cИзд-во Сибирского отделения Российской академии наук
_d2007
215 _a367 с.
_cил.
_d25
300 _aАвт. указаны в содерж.
313 _aПо пред.изд.
320 _aБиблиогр. в конце параграфов
606 1 _aПолупроводниковые приборы
_xПроизводство
_91372228
_3RU\NLR\auth\66261229
606 _aНанотехнологии
_3RU\NLR\auth\66830353
_91835426
686 _aЗ844.1-01
701 1 _4070
_8rus
_7ca
_aМихайлов
_bН. Н.
_cканд. физ.-мат. наук
_gНиколай Николаевич
_3RU\NLR\AUTH\7766222
_949150
701 1 _4070
_8rus
_7ca
_aСмирнов
_bР. Н.
_cфизик
_3RU\NLR\AUTH\7766332
_949260
701 1 _aДворецкий
_bС. А.
_4070
702 1 _4340
_8rus
_7ca
_aАсеев
_bА. Л.
_f1946-
_gАлександр Леонидович
_3RU\NLR\AUTH\77118203
_9101128
712 0 2 _4570
_aИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова
_cНовосибирск
_3RU\NLR\AUTH\889960522
_9417323
801 0 _aRU
_bNLR
_c20080403
_gRCR
801 1 _aRU
_bNLR
_c20080403
830 _aРед. по ЭК.
942 _cBOOK
980 _aNB