000 01551nam0a2200349 4500
001 RU\NLR\bibl\1837471
005 20260405201450.0
010 _a978-5-87623-489-6
_9200
021 _aRU
_b2011-86165
_96152
035 _a(NLR Aleph) 001827947
090 _a2097641
_c2097641
100 _a20111122d2011 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aТранзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
_eмонография
_fА.Н. Ковалев
_gМ-во образования и науки РФ, Федер. гос. автоном. образоват. учреждение высш. проф. образования "Нац. ссслед. технол. ун-т "МИСиС"
210 _aМосква
_cМИСиС
_d2011
215 _a363 с.
_cил.
_d22
313 _aПолевые и биполярные транзисторы
320 _aБиблиогр.: с. 353-363 (256 назв.)
606 1 _aБиполярные транзисторы
_92214139
_3RU\NLR\auth\661329937
606 1 _aПолевые транзисторы
_92156159
_3RU\NLR\auth\661298039
686 _aЗ852.39
700 1 _4070
_8rus
_7ca
_aКовалев
_bА. Н.
_cд-р физ.-мат. наук
_gАлексей Николаевич
_3RU\NLR\AUTH\7789009
_971937
801 0 _aRU
_bNLR
_c20111122
_gRCR
801 1 _aRU
_bNLR
_c20111122
830 _aавт. по кн.
942 _cBOOK
980 _aNB
980 _aNBR