| 000 | 03154nam0a2200457 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\bibl\1843037 | ||
| 005 | 20260407122922.0 | ||
| 010 |
_a978-5-7692-1183-6 _9400 |
||
| 021 |
_aRU _b2011-90074 _96445 |
||
| 035 | _a(nilc)RSL-KNO-005080951 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 001833485 | ||
| 090 |
_a2171909 _c2171909 |
||
| 100 | _a20111121d2011 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 |
_aСинтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах _dSynthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices _f[В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов и др.] _gотв. ред. А. Л. Асеев, В. А. Гриценко _gРос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова [и др.] _zeng |
|
| 210 |
_aНовосибирск _cИзд-во Сибирского отд-ния Российской акад. наук _d2011 |
||
| 215 |
_a157 с. _cил., табл. _d25 |
||
| 225 | 1 |
_aИнтеграционные проекты СО РАН _dSB Ras Integrated Projects _fрекол.: акад. В.М. Фомин (гл. ред.) [и др.] _vвып. 31 |
|
| 300 | _aАвт. указаны на обороте тит.л. | ||
| 300 | _aВ надзаг. также: Ин-т неорг. химии им. А.В. Николаева, Ин-т катализа им. Г.К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геологии и минералогии им. В.С. Соболева | ||
| 320 | _aБиблиогр. в конце гл. | ||
| 510 | 0 |
_aSynthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices _zeng |
|
| 606 | 1 |
_aФлэш-память _92552159 _3RU\NLR\auth\661510116 |
|
| 606 | 1 |
_aЗапоминающие устройства _xМатериалы _91100895 _3RU\NLR\auth\66433468 |
|
| 606 |
_aДиэлектрики _xПрименение в микроэлектронике _92302922 _3RU\NLR\auth\661378659 |
||
| 686 |
_aЗ843.41,0 _2rubbk |
||
| 686 | _aЗ973.2-045.2 | ||
| 701 | 1 |
_4070 _7ca _8rus _aГриценко _bВ. А. _cд-р физ. мат. наук, физика полупроводников _gВладимир Алексеевич _9101051 _3RU\NLR\auth\77118126 |
|
| 701 | 1 |
_aЕлисеев _bА. П. _4070 |
|
| 701 | 1 |
_4070 _7ca _8rus _aИванов _bМ. В. _cфизик _9101113 _3RU\NLR\AUTH\77118188 |
|
| 702 | 1 |
_4340 _7ca _8rus _aАсеев _bА. Л. _f1946- _gАлександр Леонидович _9101128 _3RU\NLR\auth\77118203 |
|
| 712 | 0 | 2 |
_4570 _aИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова _cНовосибирск _9417323 _3RU\NLR\AUTH\889960522 |
| 801 | 0 |
_aRU _bRuMoRKP _c20111121 _grcr |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bРГБ _c20111121 |
|
| 801 | 2 |
_aRU _bNLR _c20111205 _grcr |
|
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||
| 980 | _aNBR | ||