000 01806nam0a2200301 4500
001 RU\NLR\bibl\962222
005 20260407141311.0
010 _a5-98340-030-4
_9100
021 _aRU
_b2006-24310
_91210
035 _a(NLR Aleph) 000950246
090 _a275117
_c275117
100 _a20060628d2005 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aТехнологии эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур
_eучебно-методическое пособие по курсу лекций "Физика и технология эпитаксиальных систем"
_fС.-Петерб. гос. ун-т, из. фак., Каф. физики твердого тела
_g[сост.: И.Я. Герловин, И.В. Игнатьев]
210 _aСанкт-Петербург
_c[б.и.]
_d2005
215 _a17 с.
_cсхем.
_d21
606 0 _aГетероэпитаксиальные пленки
_jУчебно-методические пособия для высших учебных заведений
_xПолучение
_92198366
_3RU\NLR\auth\661321150
606 1 _aПолупроводниковые пленки
_jУчебно-методические пособия для высших учебных заведений
_xВыращивание
_91946454
_3RU\NLR\auth\66889960
686 _aЗ843.310.8-1я73-2
702 1 _aГерловин
_bИ. Я.
_4220
712 0 2 _4570
_aСанкт-Петербургский государственный университет
_bКафедра физики твердого тела
_3RU\NLR\AUTH\8810084178
_9670394
801 0 _aRU
_bNLR
_c20060628
_grcr
801 1 _aRU
_bNLR
_c20060628
942 _cBOOK
980 _aNB