000 01813nam2a22002771 4500
001 RU\NLR\INFOCOMM55\1000056544
005 20250617112128.0
035 _a(NLR Aleph) 002571128
090 _a3190513
_c3190513
100 _a20040528d1990 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _ay |||||||||
200 1 _aПрименение метода ионной имплантации для создания фоточувствительных р-и-переходов на антимониде индия
_fН.Н. Герасименко и др.
210 _d1990
_aБ. м.
225 1 _a...
_vВып.1545
_i...
_v1990, Вып.2
461 0 _1001RU\NLR\INFOCOMM55\1000056712
_12001#$aОбзоры по электронной технике$fМ-во электронной пром-сти СССР. Ин-т "Электроника"$vВып.1545
_93197280
_cМ.
_d1968-
_fМ-во электронной пром-сти СССР. Ин-т "Электроника"
_tОбзоры по электронной технике
_vВып.1545
462 0 _1001RU\NLR\INFOCOMM55\1000056438
_12001#$aОбзоры по электронной технике$iСерия Микроэлектроника$fМ-во электронной пром-сти СССР. Ин-т "Электроника"$v1990, Вып.2
_93189602
_cМ.
_d1970-
_fМ-во электронной пром-сти СССР. Ин-т "Электроника"
_iСерия Микроэлектроника
_tОбзоры по электронной технике. - Обзоры по электронной технике
_v1990, Вып.2
700 1 _aГерасименко
_bН.Н.
_4070
801 1 _aRU
_bInfoComm
_c20040528
801 0 _aRU
_bNLR
_gPSBO
852 _aNLR
_jП51/94
942 _cISSUE
980 _aNB
980 _aRUSPER