000 01720nam2a22002771 4500
001 RU\NLR\INFOCOMM17\1000421755
005 20250617112618.0
035 _a(NLR Aleph) 002573030
090 _a3206813
_c3206813
100 _a20040527d1986 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _ay |||||||||
200 1 _aВлияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Щотки
_fС.А. Костылев и др.
210 _d1986
_aБ. м.
225 1 _a...
_vВып.1188
_i...
_v1986, Вып.7
461 0 _1001RU\NLR\INFOCOMM55\1000056712
_12001#$aОбзоры по электронной технике$fМ-во электронной пром-сти СССР. Ин-т "Электроника"$vВып.1188
_93197280
_cМ.
_d1968-
_fМ-во электронной пром-сти СССР. Ин-т "Электроника"
_tОбзоры по электронной технике
_vВып.1188
462 0 _1001RU\NLR\INFOCOMM17\1000421550
_12001#$aОбзоры по электронной технике$hСерия1$iСВЧ-техника$fЦНИИ "Электроника"...$v1986, Вып.7
_93205059
_cМ.
_d1970-
_fЦНИИ "Электроника"
_hСерия 1
_iСВЧ-техника
_nИзд-во ЦНИИ "Электроника"
_tОбзоры по электронной технике. - Обзоры по электронной технике
_v1986, Вып.7
700 1 _aКостылёв
_bС.А.
_4070
801 1 _aRU
_bInfoComm
_c20040527
801 0 _aRU
_bNLR
_gPSBO
852 _aNLR
_jП51/94
942 _cISSUE
980 _aNB
980 _aRUSPER