000			02237nam1a2200373 i 4500
001			RU\NLR\b_ik\169071
005			20241225160207.0
035			_a(NLR Aleph) 002241809
090			_a3568483 _c3568483
100			_a20080507d2007 u y0rusy50 ca
101	0		_aeng
102			_aRU _aTW
105			_a||||z |||||
200	1		_aSurface and strain effects on nanoscale layered solids _fR.V. Goldstein, V.A. Gorodtsov, A.V. Chentsov [et al.]
210			_aMoscow _aTaipei _cИн-т проблем механики Рос. акад. наук _d2007
215			_d21
225	1		_aPreprint _fRuss. acad. of science, Inst. for problems in mechanics _v...
300			_aВ надзаг.: Russ. acad. of sciences, Inst. for problems in mechanics, Nat. Taiwan univ., Graduate inst. of electronics engineering
300			_aРез. на рус. яз.
320			_aБиблиогр. в конце томов
463		1	_1001RU\NLR\b_ik\167356 _12001#$aThree-layered heterostructures. Quantum dots under capping layer _0RU\NLR\b_ik\167356 _93546596 _p28 с. _tSurface and strain effects on nanoscale layered solids. - Three-layered heterostructures. Quantum dots under capping layer
463		0	_1001RU\NLR\b_ik\177079 _0RU\NLR\b_ik\177079 _93671254 _cБ. м. _d2008 _fR.V. Goldstein, V.A. Gorodtsov, P.S. Shushpannikov [et al.] _p27 с. _tMechanical modeling of quantum dots. Analytical and numerical approaches
463		0	_1001RU\NLR\b_ik\182816 _0RU\NLR\b_ik\182816 _93745237 _cБ. м. _d2009 _fR.V. Goldstein, V.A. Gorodtsov, P.S. Shushpannikov [et al.] _p57 c. _tThe nanosize SiGe islands on Si(001) and Si(110) substrates. The mechanical behavior of the modern MOSFETs
606			_aПолупроводниковые наноструктуры _92189629 _3RU\NLR\AUTH\661316301
686	1		_aЗ844.1-01
701		1	_aGol'dštejn _bR. V. _gRobert Veniaminovič _4070
701		1	_aGorodcov _bV. A. _gValentin Aleksandrovič _4070
701		1	_aČencov _bA. V. _gAleksandr Viktorovič _4070
801		0	_aRU _bNLR _c20080507 _gRCR
830			_aповерхностные и деформационные эффекты наноразмерных слоистых тел
852			_aNLR _jИк 2008-4/40
942			_cBOOK