| 000 | 01758nam2a2200325 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\b_ik\182816 | ||
| 005 | 20250616230821.0 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 002255350 | ||
| 090 |
_a3745237 _c3745237 |
||
| 100 | _a20100319d2009 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 |
_aeng _drus |
|
| 102 |
_aRU _aTW |
||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 |
_aThe nanosize SiGe islands on Si(001) and Si(110) substrates. The mechanical behavior of the modern MOSFETs _fR.V. Goldstein, V.A. Gorodtsov, P.S. Shushpannikov [et al.] |
|
| 210 |
_d2009 _aБ. м. |
||
| 215 |
_a57 c. _cил. |
||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 29-36 (64 назв.) | ||
| 461 | 0 |
_1001RU\NLR\b_ik\169071 _12001#$aSurface and strain effects on nanoscale layered solids$fR.V. Goldstein, V.A. Gorodtsov, A.V. Chentsov [et al.]$vPt 3$90 _93568483 _cMoscow _d2007 _fR.V. Goldstein, V.A. Gorodtsov, A.V. Chentsov [et al.] _nИн-т проблем механики Рос. акад. наук _tSurface and strain effects on nanoscale layered solids _vPt 3$90 |
|
| 517 | 0 | _aThe mechanical behavior of the modern MOSFETs | |
| 606 | 1 |
_aКремний _xТонкие пленки _xМеханические свойства _92597397 _3RU\NLR\AUTH\661534609 |
|
| 606 | 1 |
_aГерманий _xТонкие пленки _xМеханические свойства _92597394 _3RU\NLR\AUTH\661534608 |
|
| 686 | 1 | _aЗ843.322.106.2 | |
| 701 | 1 |
_aGol'dštejn _bR. V. _gRobert Veniaminovič _4070 |
|
| 701 | 1 |
_aGorodcov _bV. A. _gValentin Aleksandrovič _4070 |
|
| 701 | 1 |
_aŠušpannikov _bP. S. _gPavel Sergeevič _4070 |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _c20100319 _gRCR |
|
| 830 | _aнанослои SiGe на кремниевых подложках и их механические свойства | ||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||