000 01579nam0a2200337 4500
001 RU\NLR\bibl\82163
005 20250616104611.0
021 _aRU
_b2000-8201
_9413
035 _a(NLR Aleph) 000080237
090 _a446454
_c446454
100 _a20000424d1999 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
_deng
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aМоделирование процессов электромиграции и зарождения дефектов в токопроводящих дорожках интегральных микросхем
_fА.С. Владимиров, Р.В. Гольдштейн, Ю.В. Житников и др.
210 _aМ.
_cИПМ
_d1999
215 _a65 с.
_cил.
_d20
225 1 _aПрепринт
_fИн-т пробл. механики Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т Рос. акад. наук
_vN 652
320 _aБиблиогр.: с. 62-65 (42 назв.)
606 0 _aИнтегральные схемы
_xПроводящие элементы
_xРазрушение
_92165083
_3RU\NLR\auth\661302770
686 _aЗ844.15-049.9-01
701 1 _aВладимиров
_bА. С.
_gАлександр Сергеевич
_4070
701 1 _aГольдштейн
_bР. В.
_gРоберт Вениаминович
_4070
701 1 _aЖитников
_bЮ. В.
_gЮрий Владимирович
_4070
801 0 _aRU
_bNLR
_c20000424
_gPSBO
801 1 _aRU
_bNLR
_c20000424
830 _aАвт. по кн.
852 _aNLR
_j2000-4/823
942 _cBOOK
980 _aNB