000 01162nam0a22002771 4500
001 rc\2238894
005 20250623065520.0
090 _a4775085
_c4775085
100 _a20110829d1978 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa z |||||
200 1 _aЭлектронное и полупроводниковое приборостроение
_eМежвуз. сб. науч. тр.
_fМ-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Новосиб. гос. ун-т, Новосиб. электротехн. ин-т
_gПод ред. д. т. н., проф. В.С. Шадрина
210 _aНовосибирск
_cНЭТИ
_d1978
215 _a199 с.
_cил.
_d20
320 _aБиблиогр. в конце статей
702 1 _aШадрин
_bВ.С.
_4340
712 0 2 _aНовосибирский государственный университет
_3RU\NLR\AUTH\889940872
852 _aNLR
_j79-3/5788
899 _aRuMoRGB
_jБ 79-19/354
899 _aRuMoRGB
_jБ 79-19/355
942 _cBOOK