000 01390nam0a22003011 4500
001 rc\893710
005 20250622033048.0
035 _a(NLR Aleph) 006070069
090 _a4993666
_c4993666
100 _a20041129d1984 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aАномальные кинетические явления в гетероэпитаксиальных структурах p-InSb/i-GaAs при низких температурах
_dAnomalous kinetic effects in heteroepitaxial structures p-InSb/i-GaAs at low temperatures
_fД.А. Кичигин, О.А. Миронов, С.В. Чистяков
210 _aХарьков
_cИРЭ
_d1984
215 _a41 с.
_cграф.
_d21
225 1 _aПрепринт
_fАН УССР, Ин-т радиофизики и электоники
_v№ 247
300 _aРез. на англ. яз.
320 _aБиблиогр.: с. 36-40
510 0 _aAnomalous kinetic effects in heteroepitaxial structures p-InSb/i-GaAs at low temperatures
700 1 _aКичигин
_bД.А.
_gДмитрий Андреевич
701 1 _aМиронов
_bО.А.
_gОлег Александрович
701 1 _aЧистяков
_bС.В.
_gСергей Викторович
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j84-4/27405
942 _cBOOK
980 _aNB