000 01140nam0a22002531 4500
001 rc\905955
005 20250622035846.0
035 _a(NLR Aleph) 006081019
090 _a5089576
_c5089576
100 _a20041129d1984 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aФазовая диаграмма системы In-As-Sb в индиевом углу концентрационного треугольника и особенности роста эпитаксиальных твердых растворов In As₁₋x Sbx и Ga₁₋y Aiу Sb
_fАлекперова Ш.М., Абдул-заде Н.Н., Мурсакулов Н.Н., Третьяков Д.Н.
210 _aБаку
_cСКБ ИФ
_d1984
215 _a21 с.
_cграф.
_d19
225 1 _aПрепринт
_fАН АзССР, Ин-т физики. Лаб. неравновес. электрон. процессов
_v№ 98
320 _aБиблиогр.: с. 21
333 _aДСП. Экз. № 000006
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j84-50К/5299
942 _cBOOK
980 _aNB