| 000 | 01146nam0a22002531 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\223091 | ||
| 005 | 20030307115743.4 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 005477014 | ||
| 090 |
_a5094762 _c5094762 |
||
| 100 | _a20030307d1991 u |0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _ay ||||||||| | ||
| 200 | 1 | _aО возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле | |
| 210 |
_aЕреван _a[М.] _cЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике _d1991 |
||
| 215 |
_a16 с. _d20 |
||
| 225 | 1 |
_aПрепринт _fЕрев. физ. ин-т _vЕФИ-1323 (18)-91 |
|
| 320 | _aБиблиогр.: с. 16 (12 назв.) | ||
| 700 | 1 |
_aТорикян _bЛ. Г. _gЛевон Гаспарович |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j91-4/7037 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||