000 01696nam0a22003491 4500
001 rc\2360475
005 20260407122923.0
035 _a(NLR Aleph) 006684887
090 _a5107406
_c5107406
100 _a20110829d1977 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa z |||||
200 1 _aФизические процессы в облученных полупроводниках
_f[В.В. Болотов, А.В. Васильев, Н.Н. Герасименко и др.]
_gОтв. ред. проф. Л.С. Смирнов
_gАН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
210 _aНовосибирск
_cНаука, Сиб. отд-ние
_d1977
215 _a256 с.
_cил.
_d21
320 _aСписки лит. в конце глав
606 _aПолупроводники
_xДействие ионизирующих излучений
_2rkp
606 _aПолупроводники
_xДефекты
_2rkp
701 1 _aГерасименко
_bН.Н.
701 1 _aБолотов
_bВ.В.
701 1 _aВасильев
_bА.В.
702 1 _4340
_7ca
_8rus
_aСмирнов
_bЛ. С.
_cд-р физ.-мат. наук, физика полупроводников
_f1932-2011
_gЛеонид Степанович
_9162668
_3RU\NLR\AUTH\770162712
712 0 2 _aИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова
_cНовосибирск
_3RU\NLR\AUTH\889960522
_9417323
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j77-5/7632
899 _aRuMoRGB
_jБ 77-11/623
899 _aRuMoRGB
_jБ 77-11/624
942 _cBOOK
980 _aNB