000 01014nam0a22002771 4500
001 rc\3402925
005 20250609231329.0
035 _a(NLR Aleph) 007547514
090 _a5165228
_c5165228
100 _a20130115d1971 |||y0rusy50 ca
101 1 _arus
_ceng
102 _aRU
105 _aa z |||||
200 1 _aФизические основы полевых транзисторов с изолированным затвором
_fПер. с англ. под ред. Г.Г. Смолко
210 _aМосква
_cСов. радио
_d1971
215 _a142 с.
_cил.
_d20
300 _aДоп. тит. л.: Paul Richman. Characteristics and operation of mos field-effect devices
320 _aБиблиогр.: с. 135-140
513 0 _aCharacteristics and operation of mos field-effect devices
700 1 _aРичман
_bП.
_gПоль
702 1 _aСмолко
_bГ.Г.
_4340
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j70-3/8211
942 _cBOOK
980 _aNB