000 01199nam0a22002771 4500
001 rc\277194
005 20250621013128.0
035 _a(NLR Aleph) 005501143
090 _a5308294
_c5308294
100 _a20030307d1990 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aПроцессы множественного двойникования и особые свойства Σ=3n границ в ГЦК кристаллах
_fЧ.В. Копецкий, А.В. Андреева, Г.Д. Сухомлин
210 _aЧерноголовка
_cБ. и.
_d1990
215 _a52 с.
_cил.
_d21
225 1 _aПрепринт
_fАН СССР. Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особо чистых материалов
320 _aБиблиогр.: с. 50-52
700 1 _aКопецкий
_bЧ.В.
_gЧеслав Васильевич
701 1 _aАндреева
_bА.В.
_gАлександра Викторовна
701 1 _aСухомлин
_bГ.Д.
_gГеоргий Дмитриевич
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j90-6/1977
942 _cBOOK
980 _aNB