000 01200nam0a22002651 4500
001 rc\301458
005 20250621025904.0
035 _a(NLR Aleph) 005537322
090 _a5673146
_c5673146
100 _a20030307d1989 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aТехнология вертикально-интегрированных полупроводниковых структур для создания СБИС
_eУчеб. пособие
_fД.Д. Гордеев, В.Н. Дягилев, Ю.А. Парменов
_gПод ред. к. т. н., доц. Ю.А. Парменова
_gГос. ком. СССР по нар. образованию, Моск. ин-т электрон. техники
210 _aМ.
_cМИЭТ
_d1989
215 _a67 с.
_cил.
_d20
320 _aБиблиогр.: с. 64-66
700 1 _aГордеев
_bД.Д.
_gДмитрий Дмитриевич
701 1 _aДягилев
_bВ.Н.
_gВладимир Николаевич
701 1 _aПарменов
_bЮ.А.
_gЮрий Алексеевич
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j90-4/14029
942 _cBOOK
980 _aNB