000 01410nam0a22002891 4500
001 rc\997085
005 20260407122923.0
035 _a(NLR Aleph) 006163880
090 _a5892246
_c5892246
100 _a20041129d1981 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aЛегирование полупроводников методом ядерных реакций
_f[Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко]
_gОтв. ред. Л.С. Смирнов
210 _aНовосибирск
_cНаука. Сиб. отд-ние
_d1981
215 _a181 с.
_cил.
_d21
300 _aАвт. указаны на обороте тит. л.
300 _aВ надзаг.: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
320 _aБиблиогр. в конце глав
701 1 _7ca
_8rus
_aСмирнов
_bЛ. С.
_cд-р физ.-мат. наук, физика полупроводников
_f1932-2011
_gЛеонид Степанович
_9162668
_3RU\NLR\AUTH\770162712
712 0 2 _aИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова
_cНовосибирск
_3RU\NLR\AUTH\889960522
_9417323
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j81-5/3162
942 _cBOOK
980 _aNB