| 000 | 01189nam0a22002891 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\2308011 | ||
| 005 | 20110829141725.1 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 006468922 | ||
| 090 |
_a5914367 _c5914367 |
||
| 100 | _a20110829d1977 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa z ||||| | ||
| 200 | 1 |
_aСостояние и перспективы развития мощных высоковольтных биполярных транзисторов _fПетухов В.М., Таптыгин В.И., Хрулев А.К., Эмишян М.С. _gМинистерство электронной промышленности СССР. ЦНИИ "Электроника" |
|
| 210 |
_aМосква _cБ. и. _d1977 |
||
| 215 |
_a67 с. _cил. _d21 |
||
| 225 | 1 |
_aЗарубежная электронная техника _v4 (150) |
|
| 320 | _aБиблиогр.: с. 66-67 | ||
| 701 | 1 |
_aТаптыгин _bВ. И. |
|
| 701 | 1 |
_aХрулев _bА. К. |
|
| 701 | 1 |
_aПетухов _bВ. М. _gВладимир Матвеевич |
|
| 701 | 1 |
_aЭмишян _bМ. С. |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _jП11/2814 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||