000 01355nam0a22002891 4500
001 rc\629264
005 20250621191022.0
035 _a(NLR Aleph) 005871491
090 _a5983551
_c5983551
100 _a20031121d1986 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aВлияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки
_e(По данным отеч. и зарубеж. печати за 1980-1985 гг.)
_fС.А. Костылев, Е.Ф. Прохоров, А.Т. Уколов
210 _aМ.
_cИзд-во ЦНИИ "Электроника"
_d1986
215 _a40 с.
_cграф.
_d21
225 1 _aОбзоры по электронной технике
_fЦНИИ "Электроника"
_vВып. 1188
_hСерия 1
_iЭлектроника СВЧ
_vВып. 7
300 _aВ назаг. также: М-во электрон. пром-сти СССР
320 _aБиблиогр.: с. 30-39
700 1 _aКостылев
_bС.А.
_gСергей Александрович
701 1 _aПрохоров
_bЕ.Ф.
701 1 _aУколов
_bА.Т.
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_jП51/94
942 _cBOOK
980 _aNB