| 000 | 01017nam0a22002531 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\340226 | ||
| 005 | 20260407081705.0 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 005582291 | ||
| 090 |
_a6125082 _c6125081 |
||
| 100 | _a20030307d1989 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 |
_aПолупроводниковая микроэлектроника _eМежвуз. сб. науч. тр. _fНовосиб. электротехн. ин-т _g[Редкол.: В.С. Щадрин [!Шадрин] (отв. ред.) и др.] |
|
| 210 |
_aНовосибирск _cНЭТИ _d1989 |
||
| 215 |
_a113, 5, [1] с. _cил. _d20 |
||
| 320 | _aБиблиогр. в конце ст. | ||
| 702 | 1 |
_aШадрин _bВ.С. _gВладимир Степанович _4340 |
|
| 712 | 0 | 2 |
_aНовосибирский электротехнический институт _3RU\NLR\AUTH\887218 _9286500 |
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j90-3/2710 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||