| 000 | 00930nam0a22002411 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\342864 | ||
| 005 | 20250621050412.0 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 005586417 | ||
| 090 |
_a6166388 _c6166388 |
||
| 100 | _a20030307d1989 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 |
_aФотоэлектрические свойства гетероструктуры In₂O₃-Ga₂O₃-GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика _fС.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Кавалюк, В.А. Манассон |
|
| 210 |
_aКиев _cИПМ _d1989 |
||
| 215 |
_a[1], 19 с. _cил. _d20 |
||
| 225 | 1 |
_aПрепринт _fАН УССР, Ин-т пробл. материаловедения _vN 5 |
|
| 320 | _aБиблиогр.: с. 16-18 | ||
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j89-4/15697 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||