000 01069nam0a22002771 4500
001 rc\661845
005 20250621202556.0
035 _a(NLR Aleph) 005900943
090 _a6276151
_c6276151
100 _a20031121d1986 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aБинарные комплексы дефектов в широкозонных полупроводниках
_fА.Н. Георгобиони, А.Н. Грузинцев, А.В. Заяц
210 _aМ.
_cФИАН
_d1986
215 _a49 с.
_cил.
_d20
225 1 _aПрепринт
_fАН СССР, Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева. Лаб. люминесценции
_v№ 303
_iФизика твердого тела
320 _aБиблиогр.: с. 47-49
700 1 _aГеоргобиани
_bА.Н.
_gАнатолий Неофитович
701 1 _aГрузинцев
_bА.Н.
701 1 _aЗаяц
_bА.В.
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j87-4/22178
942 _cBOOK
980 _aNB