000 01824nam2a22002531 4500
001 rc\3238073
005 20250609165859.0
021 _aRU
_bРг7316-76
035 _a(NLR Aleph) 007373753
090 _a6434935
_c6434935
100 _a20130115d1976 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _ay z |||||
200 1 _a[Активные полупроводниковые приборы, транзисторы, полупроводниковые диоды]
_fГос. ком. Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий. ЦНИИ пат. информации и техн.-экон. исследований (ЦНИИПИ)
210 _d1976
_aБ. м.
215 _a5 с.
_d28
461 0 _1001rc\3237991
_12001#$aУказатель классов изобретений США$fКом. по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР. Центр. науч.-исслед. ин-т патентной информации и техн.-экон. исследований (ЦНИИПИ)$vКласс 357
_96434104
_cМосква
_d1969
_e2-е изд. Класс 250
_fКом. по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР. Центр. науч.-исслед. ин-т патентной информации и техн.-экон. исследований (ЦНИИПИ)
_nБ. и.
_tУказатель классов изобретений США
_vКласс 357
532 1 3 _aАктивные полупроводниковые приборы, транзисторы, полупроводниковые диоды
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_jПт 10.22/45
942 _cBOOK
980 _aNB