000 01525nam0a22003611 4500
001 rc\2118446
005 20250623015930.0
035 _a(NLR Aleph) 006521662
090 _a6436946
_c6436946
100 _a20110826d1979 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa z |||||
200 1 _aВнутреннее трение и дефекты в полупроводниках
_fОтв. ред. Л.С. Смирнов
210 _aНовосибирск
_cНаука. Сиб. отд-ние
_d1979
215 _a159 с.
_cил.
_d21
300 _aВ надзаг.: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
320 _aБиблиогр.: с. 149-158 (188 назв.)
606 _aПолупроводники
_xТрение внутреннее
_2psbo
606 _aПолупроводники
_xДефекты
_2psbo
686 _aВ379.256,0
_2rubbk
686 _aВ379.222,0
_2rubbk
700 1 _aАлександров
_bЛ.Н.
_gЛеонид Наумович
701 1 _aЗотов
_bМ.И.
_gМихаил Иванович
702 1 _4340
_7ca
_8rus
_aСмирнов
_bЛ. С.
_cд-р физ.-мат. наук, физика полупроводников
_f1932-2011
_gЛеонид Степанович
_9162668
_3RU\NLR\AUTH\770162712
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j80-5/191
899 _aRuMoRGB
_jБ 79-30/472
899 _aRuMoRGB
_jБ 79-30/473
942 _cBOOK
980 _aNB