| 000 | 01185nam0a22002891 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\39365 | ||
| 005 | 20230809093355.0 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 005321743 | ||
| 090 |
_a6495845 _c6495845 |
||
| 100 | _a20021216d1991 u |0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 |
_aЭлектрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO₂ _fБелоусов И.И., Ефимов В.М., Синица С.П. |
|
| 210 |
_aНовосибирск _cИФП _d1991 |
||
| 215 |
_a52 с. _cил. _d19 |
||
| 225 | 1 |
_aПрепринт _fАН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников _v№ 5 |
|
| 320 | _aБиблиогр.: с. 48-52 (51 назв.) | ||
| 700 | 1 |
_aБелоусов _bИ. И. _gИван Иванович |
|
| 701 | 1 |
_aЕфимов _bВ. М. _cканд. физ.-мат. наук _gВалерий Михайлович _3RU\NLR\AUTH\770258454 _4070 |
|
| 701 | 1 |
_aСиница _bС. П. _gСтанислав Платонович |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j91-4/6839 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||