| 000 | 01777nam0a22003011 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\3567641 | ||
| 005 | 20250610042958.0 | ||
| 021 |
_aRU _bП244-77 |
||
| 090 |
_a6627645 _c6627645 |
||
| 100 | _a20130115d1976 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa z ||||| | ||
| 200 | 1 |
_aЭлектрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵ _f[Отв. ред. акад. Н.Г. Басов] |
|
| 210 |
_aМосква _cНаука _d1976 |
||
| 215 |
_a111 с. _cил. _d26 |
||
| 225 | 1 |
_aАН СССР. Труды физического института имени П.Н. Лебедева _vТ. 89 |
|
| 320 | _aБиблиогр. в конце статей | ||
| 327 | 1 | _aСодерж.: Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия / И.Д. Воронова. Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда / С.П. Гришечкина | |
| 464 | 0 |
_12001#$aИсследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда _1700#1$aГришечкина$bС.П. |
|
| 464 | 0 |
_12001#$aЛокализация электронов в компенсированном арсениде галлия _1700#1$aВоронова$bИ.Д. |
|
| 702 | 1 |
_aБасов _bН.Г. _gНиколай Геннадиевич _4340 |
|
| 852 |
_aNLR _jП7/366 |
||
| 942 | _cBOOK | ||