| 000 | 01196nam0a22002771 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\3581409 | ||
| 005 | 20250610044209.0 | ||
| 021 |
_aRU _bП2724-71 |
||
| 035 | _a(NLR Aleph) 007697445 | ||
| 090 |
_a6708348 _c6708348 |
||
| 100 | _a20130115d1970 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _ay z ||||| | ||
| 200 | 1 |
_aИонно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии _fСост.: Пинес, Г.Э., Рокицкая, Я.П. |
|
| 210 |
_aМосква _cБ. и. _d1970 |
||
| 215 |
_a52 с. _d21 |
||
| 225 | 1 |
_aМинистерство электронной промышленности СССР. Институт "Электроники". Тематические указатели литературы _vВып. 134 _iСерия: Технология и организация производства _v2 [1] |
|
| 320 | _aИспользованные источники: с. 50-51 | ||
| 700 | 1 |
_aПинес _bГ.Э. _4220 |
|
| 701 | 1 |
_aРокицкая _bЯ.П. _4220 |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _jС315-410/Т-32 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||