000 01026nam0a22002531 4500
001 rc\710934
005 20250621221352.0
090 _a6729224
_c6729224
100 _a20031121d1985 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aЗАВИСИМОСТЬ ширины запрещенной зоны от состава полупроводниковых твердых растворов типа AIVBVI
_fИ.И. Засавицкий, А.В. Курганский, Б.Н. Мацонашвили, А.П. Шотов
210 _aМ.
_cБ. и.
_d1985
215 _a[1], 24 с.
_cил.
_d21
225 1 _aПрепринт
_fАН СССР, Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева. Лаб. физики полупроводников
_v№ 346
320 _aБиблиогр.: с. 23-24
701 1 _aЗасавицкий
_bИ.И.
852 _aNLR
_j87-4/7122
942 _cBOOK