000 01141nam0a22002531 4500
001 rc\1047614
005 20041129103600.0
035 _a(NLR Aleph) 006251664
090 _a6758404
_c6758404
100 _a20041129d1981 u |0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aПроцессы на поверхности полупроводниковых структур при вакуумном методе эпитаксии
_e[Сб. статей]
_fАН СССР. Дальневост. науч. центр, Ин-т автоматики и процессов упр.
_g[Редкол.: к. ф.-м. н. В.Г. Лифшиц (отв. ред.) и др.]
210 _aВладивосток
_cДВНЦ АН СССР
_d1981
215 _a94 с.
_cил.
_d20
320 _aБиблиогр. в конце статей
702 1 _aЛифшиц
_bВ. Г.
_4340
712 0 2 _aИнститут автоматики и процессов упр.
_cВладивосток
_3RU\NLR\AUTH\889937312
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j82-4/19303
942 _cBOOK
980 _aNB