000 01247nam0a22003131 4500
001 rc\2283101
005 20250623042504.0
090 _a6855224
_c6855223
100 _a20110829d1976 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa z |||||
200 1 _aЗависимость параметров полевых транзисторов от температуры и электрического режима
_fА.В. Антонов, В.Н. Синицын, В.Г. Субботин
210 _aДубна
_cОИЯИ
_d1976
215 _a17 с.
_cил.
_d22
225 1 _aСообщения Объедин. ин-та ядерных исследований
_v13-10124
320 _aСписок лит.: с. 17 (7 назв.)
606 _aТриоды полупроводниковые, полевые
_xХарактеристики
_2psbo
686 _aз852.39
_2rubbk
700 1 _aАнтонов
_bА.В.
_gАлександр Владимирович
701 1 _aСиницын
_bВ.Н.
701 1 _aСубботин
_bВ.Г.
852 _aNLR
_jП11/2061
899 _aRuMoRGB
_jXXV 13/49
942 _cBOOK