000 01260nam0a22002891 4500
001 rc\414934
005 20250621075735.0
035 _a(NLR Aleph) 005662701
090 _a6890081
_c6890081
100 _a20030616d1987 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aСвойства многоподрешеточного сегнетоэлектрика в сегнетофазе на примере BaTiO3
_fС.М. Балашов, Ю.Н. Веневцев, В.К. Федянин
210 _aДубна
_cОИЯИ
_d1987
215 _a8 c.
_cграф.
_d22
225 1 _aСообщения Объединенного института ядерных исследований
_vР17-87-41
320 _aБиблиогр.: с. 7-8 (14 назв.)
700 1 _aБалашов
_bС. М.
_cканд. физ.-мат. наук, физическая химия
_gСергей Михайлович
_3RU\NLR\AUTH\770269531
_4070
701 1 _aВеневцев
_bЮ.Н.
_gЮрий Николаевич
701 1 _aФедянин
_bВ.К.
_gВладимир Константинович
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j87-6/1817
942 _cBOOK
980 _aNB