| 000 | 01325nam0a22002651 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\611436 | ||
| 005 | 20250621231048.0 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 005970074 | ||
| 090 |
_a6926552 _c6926552 |
||
| 100 | _a20031121d1986 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 |
_aВхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника _e(Процессы образования монокристал. слоев для микроэлектроники) _fТ.А. Смородина, Н.Н. Шефталь, А.П. Цуранов _gОтв. ред. И.А. Смирнов _gАН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова |
|
| 210 |
_aЛ. _cНаука. Ленингр. отд-ние _d1986 |
||
| 215 |
_a173 с. _cил. _d22 |
||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 161-171 (180 назв.) | ||
| 700 | 1 |
_aСмородина _bТ.А. _f1926- _gТатьяна Александровна |
|
| 701 | 1 |
_aШефталь _bН.Н. _gНиколай Наумович |
|
| 701 | 1 |
_aЦуранов _bА.П. _gАлександр Павлович |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j86-5/4475 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||