| 000 | 00996nam0a22002651 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\429622 | ||
| 005 | 20030616170718.2 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 005676414 | ||
| 090 |
_a7028587 _c7028587 |
||
| 100 | _a20030616d1988 u |0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 | _aОднороднолегированный оловом эмиттер биполярного транзистора на GaAs, полученный селективным осаждением в системе Ga-AsCl₃-H₂... | |
| 210 |
_aЛ. _cФТИ _d1988 |
||
| 215 |
_a19 с. _cил. _d20 |
||
| 225 | 1 |
_aПрепринт _fАН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе _v1250 |
|
| 320 | _aБиблиогр.: с. 17-18 (14 назв.) | ||
| 700 | 1 |
_aЖиляев _bЮ. В. _gЮрий Васильевич |
|
| 701 | 1 |
_aКуликов _bА. Ю. |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j89-4/1198 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||