000			02767nam0a2200457 4500
001			RU\NLR\bibl\430577
005			20250622180616.0
010			_a5-7629-0474-1 _9125
021			_aRU _b2003-29790 _91404
035			_a(NLR Aleph) 000424437
090			_a715471 _c715471
100			_a20030805d2002 |||y0rusy50 ca
101	0		_arus
102			_aRU
105			_aa |||||||||
200	1		_aСенсоры на основе полевых транзисторов _eУчеб. пособие _fИ. И. Зятьков, А. И. Максимов, В. А. Мошников _gМ-во образования Рф, С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т "ЛЭТИ"
210			_aСПб. _cЛЭТИ _d2002
215			_a55 с. _cил. _d22
313			_aФизико-химические закономерности процессов,протекающих в сенсорах.Обсуждаются общие подходы к конструированию сенсоров(в т.ч.сенсоров состава жидких и газовых сред
320			_aБиблиогр.: с. 54
606	0		_aДатчики полупроводниковые _jРуководства, пособия и т.п. для высшей школы _9961887 _3RU\NLR\auth\66359433
606	0		_aДатчики полупроводниковые _jУчебные издания для высших учебных заведений _9961887 _3RU\NLR\auth\66359433
606	0		_aКристаллические триоды полевые _jРуководства, пособия и т.п. для высшей школы _xТеория _92250604 _3RU\NLR\auth\661349977
606	0		_aПолевые транзисторы _jУчебные издания для высших учебных заведений _xТеория _92250606 _3RU\NLR\auth\661349978
610	0		_aСенсоры полупроводниковые
610	0		_aТриоды полупроводниковые полевые
675			_a621.382.323(075.8) _v3 _zrus
686			_a47 _2rugasnti
686			_a32.85я73 _2rubbk
686			_aЗ852.39-01я73-1
686			_aГ4с3я73
700		1	_4070 _aЗятьков _bИ. И. _cканд. физ.-мат. наук _gИгорь Иванович _9199486 _3RU\NLR\AUTH\770199537
701		1	_4070 _7ca _8rus _aМаксимов _bА. И. _cканд. физ.-мат. наук, микроэлектроника _gАлександр Иванович _9212176 _3RU\NLR\AUTH\770212232
701		1	_aМошников _bВ. А. _gВячеслав Алексеевич _4070
801		0	_aRU _bRKP _c20030805 _gPSBO
801		1	_aRU _bRKP _c20030805
801		2	_aRU _bNLR _c20031017 _grcr
942			_cBOOK
980			_aNB