000 01207nam0a22002771 4500
001 rc\774023
005 20250622125931.0
035 _a(NLR Aleph) 006300384
090 _a7244978
_c7244978
100 _a20040301d1984 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aОсновные закономерности эпитаксии силицидов на начальных стадиях роста
_fАлександров Л.Н., Богомолов Б.К., Герасименко Н.Н.
210 _aНовосибирск
_cИн-т физики полупроводников
_d1984
215 _a[2], 57 с.
_cил.
_d19
225 1 _aПрепринт
_fАН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
_v10-84
320 _aБиблиогр.: с. 52-57
700 1 _aАлександров
_bЛ.Н.
_gЛеонид Наумович
701 1 _aБогомолов
_bБ.К.
_gБорис Константинович
701 1 _aГерасименко
_bН.Н.
_gНиколай Николаевич
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j85-4/11988
942 _cBOOK
980 _aNB