000 00959nam0a22002651 4500
001 rc\460918
005 20250621093357.0
035 _a(NLR Aleph) 005705365
090 _a7321178
_c7321178
100 _a20030616d1988 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _ay |||||||||
200 1 _aФотоэлектрический эффект, обусловленный различием скоростей поверхностной рекомбинации в однородном полупроводнике
210 _aТашкент
_cБ. и.
_d1988
215 _a9 с.
_d20
225 1 _aПрепринт
_fНПО "Физика-солнце" АН УзССР, Физ.-техн. ин-т
_v72-88-ФПП
320 _aБиблиогр.: с. 8
700 1 _aВалиев
_bВ.Х.
701 1 _aТахиров
_bБ.И.
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j89-4/11299
942 _cBOOK
980 _aNB