| 000 | 01464nam0a22003011 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\789894 | ||
| 005 | 20260407122924.0 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 006315227 | ||
| 090 |
_a7394009 _c7394009 |
||
| 100 | _a20040301d1984 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||||||| | ||
| 200 | 1 |
_aДииодид ртути _eПолучение, свойства, применение _f[В.А. Гайслер, В.М. Залетин, Н.В. Лях и др.] _gОтв. ред. Л.С. Смирнов |
|
| 210 |
_aНовосибирск _cНаука. Сиб. отд-ние _d1984 |
||
| 215 |
_a103 с. _cил. _d21 |
||
| 300 | _aАвт. указаны на обороте тит. л. | ||
| 300 | _aВ надзаг.: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников | ||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 99-102 (63 назв.) | ||
| 701 | 1 |
_aГайслер _bВ.А. _gВладимир Анатольевич |
|
| 702 | 1 |
_4340 _7ca _8rus _aСмирнов _bЛ. С. _cд-р физ.-мат. наук, физика полупроводников _f1932-2011 _gЛеонид Степанович _9162668 _3RU\NLR\AUTH\770162712 |
|
| 712 | 0 | 2 |
_aИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова _cНовосибирск _3RU\NLR\AUTH\889960522 _9417323 |
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j85-5/1492 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||